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半导体失效分析-质量鉴定-司法鉴定
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更新时间:2025-07-15  |  阅读:84

详情介绍

半导体失效分析是确保半导体器件可靠性和性能的关键技术,它通过对失效半导体芯片的深入分析,确定其失效的根本原因。失效可能由多种因素引起,包括材料缺陷、设计不足、工艺问题、环境因素或操作失误。失效分析不仅有助于工艺的不断改进和优化,修复芯片设计中的缺陷,还为故障诊断提供了关键的证据支持。它为生产测试环节提供了重要的补充,确保了产品质量和可靠性。

半导体失效分析-质量鉴定-司法鉴定

半导体失效分类

1.断裂失效:

应力腐蚀:材料在应力和腐蚀环境共同作用下发生的断裂。

高温应力断裂:材料在高温和应力长期作用下发生的断裂。

疲劳断裂:材料在反复应力作用下发生的断裂。

2.非断裂失效:

磨损失效:由于摩擦导致的材料表面磨损。

腐蚀失效:材料在化学或电化学作用下发生的损坏。

变形失效:材料在外力作用下发生的不可逆形变。

3.复合失效机理:

多种失效机理综合作用,如应力腐蚀和疲劳断裂的共同作用导致的失效。

中科检测的半导体失效分析服务

中科检测凭借其专业的技术团队和CMA资质认证,为客户提供全面的半导体失效分析服务,以下是一些具体的失效现象和分析方法:

1.开路:

EOS(电气过应力):由于电压或电流超过器件承受范围导致的损坏。

ESD(静电放电):静电放电造成的器件损坏。

电迁移:电流导致的金属迁移,引起线路断裂。

应力迁移:金属互连线的应力引起的断裂。

腐蚀:化学腐蚀导致的金属线路断裂。

键合点脱落:键合点因机械或热应力而脱落。

机械应力:外力导致的器件结构损坏。

热变应力:温度变化引起的应力导致器件损坏。

2.短路:

PN结缺陷:PN结区域的缺陷导致的短路。

PN结穿钉:PN结区域的穿透性缺陷。

介质击穿:绝缘材料因电应力而失效。

金属迁移:金属原子迁移导致的短路。

3.参漂:

氧化层电荷:氧化层中的电荷变化影响器件性能。

表面离子:表面吸附的离子影响器件的电性能。

芯片裂纹:芯片内部的裂纹导致性能下降。

热载流子:热载流子效应导致的器件参数变化。

辐射损伤:辐射导致的器件性能退化。

4.功能失效:

EOS、ESD:如实例一中的浪涌损坏,导致整流桥功能失效。

中科检测的半导体失效分析服务,不仅能够帮助客户找出问题的根源,还能够提供改进建议,从而提高产品的可靠性和市场竞争力。

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